深圳市飞邦微电子科技有限公司

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产品分类

HY1607P(68V/70A,内阻6.5毫欧,48V控制器*MOS,可替代RU6888
HY1607P(68V/70A,内阻6.5毫欧,48V控制器*MOS,可替代RU6888
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HY1607P(68V/70A,内阻6.5毫欧,48V控制器*MOS,可替代RU6888

品牌/商标:

HYNIX/海力士

型号/规格:

HY1607P

种类:

*缘栅(MOSFET)

沟道类型:

N沟道

导电方式:

增强型

封装外形:

P-DIT/塑料双列直插

产品信息

     该产品采用了*新U型沟槽工艺,具有*低的导通损耗和开关损耗,适用于48V控制器及各类开关应用场合,48V控制器上**。

     另此颗料也是我们在HID安定器行业*受欢迎的,它同时优化了内阻及节电容,与各类安定器的方案板匹配度很高,目前已有大量成熟客户正在使用中,欢迎您来电索样测试!

 

  HY1607P在控制器行业,应用在48V控制器上,可以*替代RU6888

 

  HY1607P在HID安定器行业,可以*替代ME75N80C/KIA70N06/BYD75NF75